推動因素：5G網絡的進程

根據(jù)工信部、中國IMT-2020(5G)推進組的工作部署以及三大運營商的5G商用計劃，我國將于2017年展開5G網絡第二階段測試，2018年進行大規(guī)模試驗組網，并在此基礎上于2019年啟動5G網絡建設，最快到2020年正式商用5G網絡。

隨著5G時代的臨近，以手機、平板、可穿戴設備為代表的智能終端消費品將步入快速發(fā)展階段，物聯(lián)網、虛擬現(xiàn)實、無人駕駛等新技術的應用也將加速拓展。

5G進程的提速將大幅提升移動互聯(lián)網用戶業(yè)務體驗，滿足物聯(lián)網應用的海量需求，未來將帶動通信、電子元器件、芯片、終端應用等全產業(yè)鏈的升級，市場空間有望達到萬億級規(guī)模。

機構認為，5G網絡將采用3Ghz以上的高頻網絡通信，數(shù)據(jù)傳輸量大，延時小，其頻段數(shù)量將大幅增加，智能手機頻段預計將從目前的6個平均頻段增加至5G時代的16個平均頻段。

隨著移動終端頻段的增多，5G網絡的射頻關鍵技術也將加速升級，包括大規(guī)模MIMO技術、毫米波頻段移動通信技術和同頻全雙工技術等領域。

市場分析：射頻器件行業(yè)在中國發(fā)展機遇巨大

射頻器件將在5G時代扮演重要角色。射頻在通信行業(yè)中起到第一層連接的作用，是可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍從 300KHz~300GHz之間。所有無線信號都是隨電磁波通過空氣傳輸?shù)?，電磁波是由電子部分和能量部分組成的能量波。

射頻器件的最基礎的功能便是處理射頻信號，成為移動通信網絡里連接的第一層連接。通信射頻器件的主要功能包括信號的選擇 (射頻開關)、去噪(濾波器)、放大(功率放大器)及接收和發(fā)送(收發(fā)信機)等。

射頻器件在消費電子及軍工產業(yè)都有著至關重要的應用，產業(yè)資本及國家大基金的重視程度將與日俱增。在各方資本的助力下，國內射頻器件行業(yè)將迎來新一輪行業(yè)大發(fā)展機遇。

PA芯片領域：PA芯片行業(yè)迎來接口標準化及砷化鎵晶圓代工向國內轉移兩大紅利，國內PA廠商的產品研發(fā)及生產過程更加順暢，預計在5G時代國產替代率將大幅提高。目前國內已經涌現(xiàn)出諸如漢天下、中普微、RDA等一批PA優(yōu)秀廠商。

濾波器領域：到2020年，頻段數(shù)量新增50個以上，理論上新增一個頻段需要配置2個濾波器，頻段數(shù)量增長直接驅動濾波器數(shù)量大幅增長。

天線領域：MIMO多天線技術的應用，單個手機及基站配置的天線數(shù)量成倍增長。5G最大的變化是引入高頻率頻段，天線的設計方案將由現(xiàn)有的單體天線改為陣列天線，新型磁性材料及LTCC集成技術將是5G天線的核心技術。國內廠商在4G天線已經占據(jù)國際領先位置，產品已進入蘋果、三星等高端手機品牌。而在厘米波、毫米波通信領域，國內科研院所積累了豐富的技術經驗，雷達及衛(wèi)星通信的技術處于全球領先地位。

5G關鍵技術中的高密集組網(UDN)以及全頻譜接入將帶來基站數(shù)量的增加和頻譜的進一步拓寬，未來將對終端側和基站側射頻電路帶來重大的變化，其中最直接的是來自基站數(shù)量增加帶來的投資的拉動，以及更寬的頻譜帶來CA(載波聚合)數(shù)量的提升，從而對終端射頻器件帶來更多的需求。數(shù)據(jù)顯示，去年全球移動終端射頻器件市場規(guī)模達110億美元，預計到2020年市場規(guī)模有望超180億美元，年復合增速超13%。

投資機會：兩線掘金射頻器件

預計未來3-5年，射頻濾波器、射頻開關、PA芯片(功率放大器芯片)三大細分領域將掀起一大波產業(yè)資本投資浪潮，并帶動相應的國產替代進程。其推薦信維通信、麥捷科技、碩貝德和順絡電子。

基站射頻器件的集成度要求不高，國內有比較成熟的廠商能夠供貨，毛利率水平難以維持高位，在通信網絡建設末期有較大的降價壓力。未來5G建設周期到來，將利好具備迅速開發(fā)新產品能力的廠家。

目前國內暫時不具備4GPA芯片和SAW濾波器的生產能力，隨著我國在5G產業(yè)鏈話語權越來越強，伴隨著部分產品降價導致毛利下滑，看好國產替代帶來的巨大機會，建議關注在PA和SAW濾波器中持續(xù)投入布局的公司。

看好國內化合物射頻半導體行業(yè)發(fā)展前景。第一，國家意志及內需支持本土化合物射頻集成電路發(fā)展。射頻芯片大陸需求端市場全備，高端/軍用供給受國外“芯片禁運”扼喉，本土化迫在眉睫。第二，IC國產化趨勢明朗，優(yōu)秀設計公司不斷涌現(xiàn)，3G/4G領域技術突破在即，國產化替代加速。第三，設計推動產業(yè)發(fā)展，化合物半導體產業(yè)鏈初現(xiàn)。第四，“大基金”注資支持，大陸化合物晶圓代工龍頭“呼之欲出”。三安光電融資投產砷化鎵/氮化鎵器件產線項目，深度布局化合物半導體代工市場。半導體項目獲國家層面支持，大基金48億元投資成為公司第二大股東。

未來大陸有望打造“設計+晶圓代工+封裝測試”PA類IDM全產業(yè)鏈。

具體到投資，建議從兩線把握。上游設計領域：重點關注化合物射頻PA公司被并購機會。PA設計公司獨立生存的空間逐步縮小。出于提升性能、降低成本、提升平臺競爭力等因素考慮，占據(jù)資金和產業(yè)優(yōu)勢的基帶芯片公司，具備收購射頻設計公司補全平臺設計鏈的強烈意愿。下游代工領域：看好積極布局化合物半導體代工領域的LED龍頭企業(yè)三安光電。