低成本、高性能的小型化壓力傳感器一直是消費(fèi)電子市場(chǎng)不斷追求的目標(biāo)。研發(fā)高良率單芯片工藝來制造更小且更高性能的芯片是其中一種解決方案。近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（簡(jiǎn)稱：上海微系統(tǒng)所）傳感技術(shù)聯(lián)合國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室李昕欣老師課題組在Journal of Micromechanics and Microengineering期刊上發(fā)表最新的MEMS傳感器研究成果——利用無疤痕微創(chuàng)手術(shù)（MIS）制造超小型MEMS壓力傳感器。該項(xiàng)研究的論文題目：Ultra-small pressure sensors fabricated using a scar-free microhole inter-etch and sealing (MIS) process，作者：焦鼎、倪藻、王家疇、李昕欣。

利用無疤痕微創(chuàng)手術(shù)工藝制造的絕對(duì)壓力傳感器芯片示意圖

該項(xiàng)研究論文展示了一種壓阻式絕對(duì)壓力傳感器芯片，大小僅為0.4mm × 0.4mm，每顆芯片制造成本低至1美分——目前全球最小尺寸、最低成本！研究人員利用體硅下薄膜技術(shù)（thin-film under bulk-silicon technique），在集成壓敏電阻的體硅梁島結(jié)構(gòu)下方形成非常薄但均勻的多晶硅壓力傳感膜片。梁島加強(qiáng)結(jié)構(gòu)有助于提升靈敏度、減小撓度、改善線性度。該壓力傳感器芯片采用一種新型的無疤痕微創(chuàng)手術(shù)（MIS）制造而成，并且該工藝與標(biāo)準(zhǔn)IC代工廠的工藝兼容，因此可有效降低成本。

壓敏電阻布局及用于壓力傳感的惠斯通電橋

在這項(xiàng)新開發(fā)的工藝中，密封結(jié)構(gòu)不在多晶硅膜片區(qū)域，而是在多晶硅膜片周圍的單晶硅島和單晶硅框架上。所以，多晶硅膜片能夠保持平坦和光滑，從而提高了傳感器芯片性能和制造成品率。更重要的是，薄膜片梁島結(jié)構(gòu)足夠小，因此可以制造出小至0.4mm × 0.4mm的傳感器芯片。由于每片6英寸晶圓可生產(chǎn)90000顆芯片，因此采用這種高良率工藝可實(shí)現(xiàn)極低的芯片制造成本：1美分。

這款超小型且低成本的MEMS壓力傳感器芯片的靈敏度為0.88 mV·kPa?1/3.3V、滯回系數(shù)為0.15%滿量程（FS）、可重復(fù)性誤差為0.04%滿量程（FS）、非線性系數(shù)為±0.10%滿量程（FS）。在沒有任何其它熱補(bǔ)償方法的情況下，研究人員對(duì)該壓力傳感器芯片在-25℃至+85℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行100 kPa的滿量程測(cè)試，結(jié)果表明該芯片的零點(diǎn)偏移溫度系數(shù)（TCO）為-0.064%/℃滿量程（FS）、靈敏度溫度系數(shù)（TCS）為-0.22%/℃。

表：利用無疤痕微創(chuàng)手術(shù)工藝制造的絕對(duì)壓力傳感器芯片測(cè)試結(jié)果

利用新型無疤痕微創(chuàng)手術(shù)工藝研發(fā)出的MEMS壓力傳感器芯片可滿足氣壓計(jì)或高度計(jì)的應(yīng)用需求，有望獲得智能手機(jī)、無人機(jī)、智能手表和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品的青睞。